张乃千

  

张乃千  客座首席研究员            

1455868118198589.jpg千人计划特聘专家

苏州能讯高能半导体有限公司,总裁


张乃千博士是世界上最早研究第三代半导体氮化镓(GaN)电子器件的人员之一。他1997年进入美国加州大学Santa Barbara分校(UCSB)攻读博士学位,师从美国科学院院士Umesh Mishra教授。UCSB是世界上首批开展氮化镓材料和器件研究的大学,并且在这个领域保持领先地位至今。2002年张乃千获得电子与计算机工程博士学位。

博士毕业后,张乃千选择了于工业界发展,进入了当时全球最大的射频半导体生产厂家RFMD公司。在RFMD任职期间张乃千担任了公司氮化镓HEMT专业指导委员会委员,并因RF3800系列产品的开发获得公司“突出贡献(Spotlight)”奖。

2006年底张乃千转到Fultec公司继续开发极高击穿电压的氮化镓功率器件,任先进半导体技术经理。他研制出的2千伏功率开关又一次刷新了氮化镓器件在该领域的世界记录,开创了氮化镓应用于电力电子的新局面。

2007年张乃千回国创办了西安能讯微电子有限公司。能讯公司是中国第一家生产宽禁带半导体电子器件的企业,致力于氮化镓等功率器件的研究开发及产业化。经多年开发,公司已推出微波功率放大器和电力电子开关两大类产品。2011年能讯公司开始建设规模为年产一万片晶圆的中国首条氮化镓电子器件生产线。该生产线的建立标志着中国电子半导体工业从第一代到第三代的跨越。能讯公司重视拥有自主知识产权的技术开发,成立以来已经申请了20多项发明专利。

2008年,因其在氮化镓电子元器件领域所作出的突出贡献,以及其在中国开展第三代半导体产业化的开拓性努力,张乃千入选首批中组部“千人计划”国家特聘专家。

留学前张乃千本科就读于清华大学电子工程系微波工程专业,师从我国微波领域著名教授高葆新。之后作为访问学者曾于香港城市大学专门研究高效率微波放大器。

张乃千是美国电子工程师协会(IEEE)会员,曾担任其核心杂志IEEE EDL的审稿人。他也是华美半导体协会理事。


 

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